黑龙江大学自然科学学报

2020, v.37(04) 484-490

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基于多层膜巨磁电阻磁场传感器制作工艺与特性研究
Fabrication technology and characteristics research of giant magnetic resistance magnetic field sensor based on multi-layer film

漆园园;赵晓锋;于志鹏;邓祁;温殿忠;

摘要(Abstract):

给出了一种多层膜巨磁电阻(GMR)磁场传感器,利用剥离工艺将其制作在SiO_2/Si衬底上,该传感器芯片主要由4个多层膜巨磁电阻连接形成惠斯通电桥,每个巨磁电阻由4部分组成,由下到上分别为衬底(SiO_2/Si)、底电极(Al层)、(Co/Cu/Co)_n多层膜和顶电极(Al层)。基于巨磁电阻效应,当外加磁场时,电阻条的阻值发生改变,惠斯通电桥输出电压随外加磁场发生改变。在室温条件下,当V_(DD)=5.0 V时,采用磁场发生器系统对传感器磁敏特性进行了测试和分析,在-0.1~0.1 mT的磁场范围内,制备的(Co 3nm/Cu 1nm)_(20)多层膜巨磁电阻磁场传感器的磁灵敏度为0.35 mV·mT~(-1),分辨率为0.01 mT。

关键词(KeyWords): 多层膜巨磁电阻;(Co/Cu/Co)_n多层膜;磁场传感器;剥离工艺

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金资助项目(61971180)

作者(Author): 漆园园;赵晓锋;于志鹏;邓祁;温殿忠;

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DOI: 10.13482/j.issn1001-7011.2020.07.008

参考文献(References):

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